初步检查

谷分裂和合金障碍在硅/锗硅量子点

日期: 周三,12月21日

时间:上午10:30

的地方:Chamberlin 4274或(密码630477)

发言人:梅里特Losert、物理研究生

文摘:硅/硅异质结构有许多重要的优势主办自旋量子比特。然而,控制能量之间的分裂两个低能导带谷国家仍然是一个关键的挑战为扩大大量可靠的和可再生的量子位。广泛分布的谷分裂司空见惯,甚至在量子点在同一设备。这种行为曾被归因于量子阱界面缺陷等步骤,这是已知的强烈抑制谷分裂。许多异质结构的设计提出了提高谷分裂,为了克服这一问题。在这次演讲中,我们探索一个简单的,通用的理论谷分裂基于量子阱囚禁的倒易空间形象的潜力,这可以解释步骤的影响,广泛的接口,合金障碍,和定制的异质结构的设计。我们使用这种理解在理论上描述谷分裂在各种异质结构,发现合金障碍造成实质性变化的谷分裂,即使没有步骤。使用这种理解,我们提出两种方法来工程师大山谷剥片:一个基于确定性增加量子阱势的傅里叶分量,山谷的夫妇,和一个利用障碍统计增加谷分裂。

主持人:马克弗瑞森

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