研究生课程活动 |
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活动将于2022年10月18日星期二举行
- 半导体接枝应用中超薄界面原子层沉积氧化物和氮化物的表征
- 时间:8点我
- 的地方:工程大厅的EH 4610
- 发言人:龚家瑞，物理研究生
- 文摘:晶格不匹配异质半导体接枝技术是近年来发展起来的一种结合晶格不匹配半导体并制造创新器件的技术。在接枝界面上通过原子层沉积(ALD)沉积的超薄氧化物(UO)被认为是一种钝化和隧道层，它在提高pn结的开/关比和降低理想因子等方面发挥着重要作用。为了更好地理解ALD UO的影响，进行了各种实验来表征ALD UO在各种半导体体系中的一些电学性质。第一部分介绍了半导体异质结构的发展历史和半导体接枝技术的发展。第二部分用x射线光电子能谱(XPS)对UO与几种半导体之间的界面进行了表征。通过峰拟合观察各种电子态。建立了钝化效应与电子态之间的相关性。第三部分采用XPS测量方法对不同UO/UN层c面ga面GaN的表面带弯曲进行了表征。根据GaN的价带谱计算了GaN与UO/UN之间的价带偏移量(VBO)。通过仿真研究了制备AlGaAs/GaAs/GaN npn异质结双极晶体管(HBT)的可能性。 In the last part, a novel releasing and transfer printing method of the single-crystalline AlN nanomembrane (NM) was introduced. The properties of the AlN were characterized both before and after the whole process and no degradation was observed. The possibility of obtaining high-quality single-crystalline AlN NM brings new potentials to the semiconductor grafting technique.
- 主持人:马振强，Mark Rzchowski